存儲(chǔ)成本飆升將沖擊全球手機(jī)市場(chǎng) 明年均價(jià)或上漲6.9%

來(lái)自Counterpoint Research最新發(fā)布的存儲(chǔ)成本場(chǎng)明《全球智能手機(jī)出貨追蹤與預(yù)測(cè)》顯示，受存儲(chǔ)芯片成本大幅上漲影響，飆升2026年全球智能手機(jī)市場(chǎng)將呈現(xiàn)“量減價(jià)升”態(tài)勢(shì)。將沖擊全機(jī)市價(jià)或

2026年全球智能手機(jī)出貨量預(yù)計(jì)同比下滑2.1%，球手較2025年11月的年均舊預(yù)測(cè)下修2.6個(gè)百分點(diǎn)，這意味著市場(chǎng)將大概率連續(xù)兩年收縮。上漲

整體來(lái)看，存儲(chǔ)成本場(chǎng)明幾乎所有主要廠商2026年出貨均可能同比下滑，飆升不過(guò)三星、將沖擊全機(jī)市價(jià)或小米、球手蘋果等頭部品牌因規(guī)模優(yōu)勢(shì)，年均抗風(fēng)險(xiǎn)能力會(huì)更強(qiáng)一些。上漲

受成本轉(zhuǎn)嫁與產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整影響，存儲(chǔ)成本場(chǎng)明2026年智能手機(jī)平均售價(jià)（ASP）預(yù)測(cè)從2025年9月的飆升年增3.6%，上調(diào)至年增6.9%。將沖擊全機(jī)市價(jià)或

售價(jià)上調(diào)的背后，DRAM價(jià)格上漲是核心推手，當(dāng)前低、中、高價(jià)位段機(jī)型BoM成本已分別增加約25%、15%、10%。

預(yù)計(jì)2026年第二季度成本或再增10%-15%，疊加存儲(chǔ)價(jià)格可能在同期再漲40%，進(jìn)一步加劇成本壓力。

此次存儲(chǔ)成本上漲根源在于AI服務(wù)器需求擠壓消費(fèi)電子產(chǎn)能，三星、美光、SK海力士等存儲(chǔ)廠商優(yōu)先供應(yīng)利潤(rùn)更高的AI服務(wù)器存儲(chǔ)產(chǎn)品（如HBM、DDR5），導(dǎo)致智能手機(jī)用DRAM/NAND Flash結(jié)構(gòu)性缺貨。

存儲(chǔ)芯片擴(kuò)產(chǎn)周期一般長(zhǎng)達(dá)3-4年，2026-2027年產(chǎn)能難有大幅擴(kuò)張，供需失衡將會(huì)持續(xù)影響消費(fèi)電子市場(chǎng)。